Bộ nhớ MRAM rốt cuộc sẽ thay thế DRAM?
MRAM là một hình thức mới của bộ nhớ NVM (non-volatile memory, tạm dịch là “ bộ nhớ bất biến”, bảo đảm dữ liệu nguyên vẹn khi mất điện). MRAM đang được sử dụng trong những chiếc xe đua, máy bay, thiết bị mạng và lưu trữ.
MRAM đang từ từ đi vào các sản phẩm và hứa hẹn cuối cùng sẽ thay thế DRAM, nhưng nhiều nhà phân tích cho rằng có thể phải mất một thời gian dài nữa trước khi công nghệ DRAM bị gạt sang một bên.
Hôm 18/1/2012, Everspin cho biết, MRAM (magnetoresistive random access memory – bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên từ điện trở) đang dần đi vào các sản phẩm đòi hỏi bộ nhớ NVM nhanh, đáng tin cậy, có thể bảo vệ dữ liệu trong trường hợp mất điện.
Video đang HOT
MRAM đã được phát triển trong nhiều thập kỉ. Năm ngoái Toshiba và Hynix cam kết phát triển loại bộ nhớ mới để cuối cùng thay thế DRAM và NAND flash. MRAM hoạt động giống như bộ nhớ chuẩn, nhưng sử dụng các thuộc tính từ tính để lưu trữ dữ liệu thay vì lưu trữ điện tích trên tụ điện như với DRAM. Tuy nhiên các nhà phân tích cho biết, chi phí cao và mật độ hạn chế sẽ giới hạn MRAM xâm nhập các thị trường chuyên ngành trong ngắn hạn.
Các sản phẩm MRAM của Everspin đang được sử dụng trong nhiều sản phẩm lưu trữ và kết nối mạng của Dell (Dell đang tìm kiếm bộ nhớ NVM nhanh, đáng tin cậy, có thể bảo vệ dữ liệu trong trường hợp mất điện), CEO Phill LoPresti của Everspin cho biết. Bộ nhớ MRAM cũng đang được sử dụng trong nhiều chiếc xe đua BMW, máy tính kiểm soát chuyến bay của Airbus A350 và các hệ thống tự động hóa công nghiệp của Siemens.
MRAM là sự thay thế khả thi cho một số sản phẩm mạng và lưu trữ (trong đó mật độ không phải là mối quan tâm chính), nhà phân tích Mike Howard của IHS iSuppli nói. Ví dụ, MRAM đang được sử dụng như là sự thay thế cho SRAM (một loại bộ nhớ NVM) trong các sản phẩm của Dell.
Hiện MRAM đang được tung ra với số lượng nhỏ và có thể sẽ được chấp nhận chỉ sau khi DRAM bị cản trở, ông Howard nói. Người ta đã chi rất nhiều tiề.n trong sự phát triển của DRAM và DRAM cũng có lợi thế về giá so với MRAM.
Có nhiều loại bộ nhớ khác như PCM (phase-change memory – bộ nhớ thay đổi pha), được Samsung và Micron ủng hộ, đang đấu tranh để thay thế DRAM và NAND flash. Nhưng nếu MRAM là để thay thế DRAM, nó sẽ xảy ra vào cuối thập kỉ này, nhà phân tích Jim Handy của Objective Analysis cho biết.
Theo PCWorld VN
Samsung tăng sản lượng chip nhớ đáp ứng nhu cầu
Hãng sản xuất chip nhớ lớn nhất thế giới, Samsung Electronics, thông báo bắt đầu sản xuất đại trà loai chip nhớ DRAM sử dụng công nghệ xử lý 20 nanometer, nhằm đáp ứng nhu cầu sử dụng cho máy tính bảng và điện thoại thông minh.
(Nguồn: Internet)
Samsung đã có những cải tiến đáng kể đối với loại chip nhớ này, đặc biệt là về hiệu năng và tiết kiệm điện. Hiện nhu cầu tiêu thụ chip nhớ trong các thiết bị di động như máy tính bảng hay điện thoại thông minh là khá lớn, trong khi nhu cầu chip nhớ DRAM dùng cho máy tính cá nhân lại yếu.
Chủ tịch Samsung Lee Kun-Hee nói: "Ngành công nghiệp bán dẫn toàn cầu đang trong giai đoạn chuyển dịch và thay đổi chu kỳ sản xuất. Chúng tôi sẵn sàng chuẩn bị cho những thay đổi đó bằng cách tăng cường thích ứng và cải tiến công nghệ nhằm duy trì vị trí tiên phong trong lĩnh vực sản xuất chip nhớ."
Samsung đã đầu tư 12.000 tỷ won (10,4 tỷ USD) để xây dựng nhà máy sản xuất chip nhớ mới hồi tháng 5/2010.
Theo công ty nghiên cứu thị trường công nghệ IHS iSuppli, Samsung nắm 41,6% thị phần thị trường DRAM toàn cầu trong quý II vừa qua, trong khi thị phần tương ứng của Samsung trong phân khúc chip nhớ nhanh NAND cũng ở mức 41,6%.
Dự kiến, Samsung sẽ bắt đầu sản xuất loại chip nhớ công nghệ mới 10 nanometer vào năm tới./.
Theo TTXVN
Micron công bố chip nhớ RAM tốc độ siêu nhanh Tại hội nghị Hot Chips ở Đại học Stanfod, hãng sản xuất chip bán dẫn Micron đã công bố nguyên mẫu bộ nhớ Hybrid Memory Cube (HMC) DRAM có tốc độ siêu nhanh. Bộ nhớ máy tính trong tương lai có thể nhanh hơn và nhỏ hơn Nguyên mẫu bộ nhớ này sử dụng qui trình tương tự như vi xử lí 3D...