Samsung và Hynix cùng giới thiệu RAM DDR4
Có vẻ Hàn Quốc đang dẫn trước Mỹ về công nghệ DRAM.
Dù Micron (Mỹ) đã từng công bố về việc làm ra được module nhớ DDR4, song không có hình ảnh thực tế nào của sản phẩm này. Trong khi đó tại sự kiện IDF 2012 của Intel vừa tổ chức tại San Francisco, hai hãng sản xuất DRAM lớn nhất nhì thế giới khác là Samsung và Hynix (đều thuộc Hàn) cùng lúc trình diễn trước giới công nghệ các sản phẩm DDR4 của mình. Dường như chuẩn nhớ thế hệ mới này sẽ được hoàn tất thông số kỹ thuật vào cuối năm nay hoặc đầu năm sau.
Mẫu chip DRAM DDR4 của Samsung.
Thoạt trông, các module DDR4 có kiểu dáng gần tương tự với module DDR2 với vị trí node phân cách nằm rất gần trung điểm giữa hai đầu cắm ( DDR3 lệch gần hẳn về một bên). Các mẫu DDR4 mà cả Samsung và Hynix demo tại sự kiện này có vẻ chỉ tập trung cho server khi xuất hiện dưới dạng RDIMM hay UDIMM có kèm ECC với dung lượng rơi vào 8 – 16 GB (server cần dung lượng RAM cao).
Video đang HOT
So sánh các chuẩn DIMM hiện có.
Bộ nhớ DDR4 của Samsung được sản xuất trên tiến trình 30nm với dung lượng mỗi chip DRAM 4 Gb (gigabit). Không có thông tin thêm về phía Hynix nhưng dường như hãng này cũng dùng tiến trình 30nm hoặc nhỏ hơn (Hynix vừa ra mắt dòng sản phẩm DRAM mới dùng node bán dẫn cấp-20nm). Phiên bản DIMM của Hynix trình làng hoạt động ở tốc độ 2,4 GHz còn Samsung kém hơn khi chỉ đạt 2,133 GHz. Song theo lộ trình của Samsung, hãng này cũng sẽ có phiên bản 2,4 GHz vào năm sau, muộn hơn so với Hynix.
Module DDR4 của Samsung ở trên và Hynix ở dưới.
Tiêu chuẩn kỹ thuật của DDR4 hiện vẫn chưa được chính thức thông qua. Nhưng dựa trên những gì mà các NSX DRAM đang thể hiện, ngày JEDEC công bố về DDR4 có lẽ không còn xa nữa. Dự kiến bộ nhớ DDR4 sẽ hoạt động ở mức điện áp 1,2 V, thấp hơn mức 1,5 V hiện nay của DDR3, hứa hẹn sẽ tiết kiệm điện hơn nhất là khi triển khai cho các datacenter dùng từ vài trăm đến vài ngàn thanh DIMM.
Wafer và lộ trình giới thiệu DDR4 của Samsung.
Nhiều khả năng DDR4 sẽ chỉ được triển khai trước đối với server vì chúng có nhu cầu lớn về băng thông nhớ. Các dòng sản phẩm điện tử tiêu dùng như PC, tablet sẽ chậm chuyển sang DDR4 hơn do DDR3 hiện đã đáp ứng khá thừa nhu cầu của người tiêu dùng.
Theo Genk
Bộ nhớ DDR4 bị trì hoãn đến năm 2014
Phải mất hơn 3 năm để bộ nhớ DDR3 phát triển và chiếm lĩnh thị trường và nay đã đến lúc chúng ta nghĩ về thế hệ tiếp theo của chuẩn bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (DRAM) - DDR4.
Theo dự kiến ban đầu, DDR4 sẽ ra mắt vào năm 2011 và chính thức sản xuất hàng loạt năm 2012, nhưng theo IHS iSuppli, DDR4 đã bị trì hoãn hơn 1 năm do yêu cầu tốc độ cao và sự phức tạp trong quá trình sản xuất.
Biểu đồ phát triển bộ nhớ DRAM
Theo đúng quy luật phát triển của bộ nhớ RAM, DDR4 sẽ có tốc độ vượt trội gấp 2 lần tốc độ DDR3 hiện tại, khoảng 4.266 MHz. Dự kiến DDR4 sẽ xuất hiện dưới các module 8 GB và bộ kit dual 2 x 8 GB. DDR4 sẽ sử dụng công nghệ LRDIMM mới, giúp tăng tốc độ truy cập, giảm thiểu công suất tiêu thụ, hứa hẹn mang đến hiệu năng vượt trội so với DDR3.
Theo nghiên cứu của IHS iSuppli, đến trước năm 2014 DDR3 vẫn sẽ là bộ nhớ chủ đạo trong thị trường máy tính. Đến năm 2014, tại thời điểm ra mắt DDR4 sẽ chiếm 12% thị phần, trong khi DDR3 sẽ giảm dần với 85% thị phần, một phần nhỏ lẻ là của DDR2. DDR4 sẽ phải mất hơn 1 năm để chiếm lĩnh thị trường máy tính với 56% so với DDR3 là 42% trên tổng số hơn 1 triệu module bộ nhớ.
Với tốc độ rất cao, hứa hẹn DDR4 sẽ mang đến những trải nghiệm thú vị trong thế giới điện toán ngày càng yêu cầu tốc độ xử lí và dung lượng bộ nhớ cao như hiện nay.
Theo Bưu Điện VN
Micron và Hynix cùng tung ra bộ nhớ DDR3L-RS cho tablet và ultrabook Với ưu thế có phần nghiêng về Hynix. Hai trong số ba nhà sản xuất (NSX) bộ nhớ DRAM lớn nhất thế giới, Micron và Hynix, vừa đồng loạt công bố dòng sản phẩm DDR3L-RS (reduced standby) được tối ưu hoá khả năng tiết kiệm điện khi ở chế độ nghỉ, phù hợp cho những thiết bị đặt nặng tính di động như...