Samsung trình diện bộ nhớ siêu nhanh 128GB UFS 2.0

Samsung vừa chính thức công bố bộ nhớ kiểu flash 128GB UFS 2.0 đầu tiên với tốc độ cực nhanh, gấp 28 lần bộ nhớ thông thường.

Hãng công nghệ khổng lồ Hàn Quốc này cũng cho biết, bộ nhớ mới đã sẵn sàng được đưa vào sản xuất hàng loạt. UFS có tính năng công nghệ “Command Queue” được sử dụng trong các ổ SSD để tăng tốc cho việc thực hiện lệnh.

Kết quả, UFS có thể thực hiện 19.000 phép tính đầu vào/ra (IOPS) mỗi giây trong chế độ đọc ngẫu nhiên, nhanh hơn 2.7 lần so với hiệu suất của bộ nhớ eMMC 5.0 được dùng trong các điện thoại thông minh cao cấp hiện nay.

Bộ nhớ siêu nhanh UFS flash của Samsung hứa hẹn trang bị cho các smartphone cao cấp.

Tốc độ viết dữ liệu ngẫu nhiên đưa tới nơi lưu trữ mới có thể đạt mức 14.000 IOPS, nhanh hơn 28 lần so với bộ nhớ thông thường và còn có thể quay, phát lại video UHD một cách tuyệt vời.

Bộ nhớ này cũng tiết kiệm 50% năng lượng so với các giải pháp thông dụng hiện nay. Hơn nữa, nó có tốc độ nhanh hơn gấp 12 lần so với thẻ nhớ ngoài thuộc dòng cao cấp điển hình.

Samsung đang hy vọng UFS flash sẽ trở thành bộ nhớ tiêu chuẩn cho các điện thoại thông minh cao cấp sắp tới. Còn eMMC sẽ tiếp tục được sử dụng cho các thiết bị tầm trung.

UFS flash dự kiến có sẵn các phiên bản 32GB, 64GB và 128GB. Mặc dù chưa có thông tin nào chính thức, nhưng nhiều người kỳ vọng rằng có thể UFS flash sẽ xuất hiện trong siêu phẩm Galaxy S6 của Samsung tại MWC 2015 vào chủ Nhật này.

Theo Văn Biên

Danviet.vn