Samsung đối mặt với án phạt 1,2 tỷ USD tại Mỹ vì công nghệ chip FinFET

Án phạt ban đầu là 400 triệu USD nhưng sau đó nâng lên gấp ba do Samsung cố tình vi phạm bằng sáng chế.

Theo Phonearena, Tòa án Liên bang Mỹ đã đưa ra phán quyết buộc Samsung phải trả số tiền 1,2 tỷ USD cho Viện Khoa học và Công nghệ Phát triển Hàn Quốc (KAIST) do vi phạm bản quyền FinFET – công nghệ dùng trên nhiều vi xử lý hiện nay và đang được KAIST nắm giữ. Qualcomm và GlobalFoundries cũng bị cáo buộc vi phạm sáng chế này nhưng đã thoát án phạt tiền nhờ thỏa thuận thành công trước đó.

Exynos 9 là một trong những chip sử dụng công nghệ FinFET.

Các nhà sản xuất bán dẫn bắt đầu đưa công nghệ bán dẫn 3D hay còn gọi là FinFET (FET – Field Effect Transistors: bán dẫn hiệu ứng trường) vào quy trình thiết kế chip cách đây vài năm và sau đó phát triển trên quy mô lớn. Công nghệ này cho phép mở đa cổng trên một bóng bán dẫn để tăng hiệu năng và giảm năng lượng tiêu thụ, cũng như giúp thiết kế chip nhỏ hơn.

Trong bản cáo trạng, ban đầu Samsung không định đưa FinFET vào vi xử lý của mình vì cho rằng nó là “công nghệ nhất thời”. Tuy nhiên, sau khi Intel được cấp phép sản xuất chip dùng công nghệ này, công ty Hàn Quốc đã đổi ý.

Phía Samsung phủ nhận việc vi phạm, đồng thời cho biết sẽ kháng cáo.

Trước đó, Samsung cũng đã phải trả cho Apple số tiền 538,6 triệu USD do vi phạm các sáng chế liên quan đến thiết kế smartphone, gồm ngoại hình bo tròn bốn góc và viền mặt trước, cũng như giao diện dạng lưới mà Apple đã đăng bản quyền cho iPhone. Đây là bản án kéo dài 7 năm giữa Apple và Samsung.

Bảo Lâm

Theo VNE