Samsung đã xuất xưởng 1 triệu mô-đun DRAM dựa trên EUV

Samsung vừa thông báo họ đã xuất xưởng 1 triệu mô-đun DRAM DDR4 ( Double Data Rate 4) lớp 10 nm (D1x) dựa trên quy trình công nghệ khắc tia cực tím ( EUV).

1 triệu mô-đun DRAM DDR4 lớp 10 nm đã được Samsung sản xuất

Theo Neowin, mô-đun DRAM DDR4 lớp 10 nm đã hoàn tất các đánh giá từ khách hàng, từ đó mở cửa cho quy trình nút xử lý EUV tiên tiến hơn để sử dụng trong các ứng dụng PC, di động, máy chủ doanh nghiệp và trung tâm dữ liệu cao cấp.

Samsung cho biết, đây là lần đầu tiên công ty sử dụng quy trình EUV để phát triển các sản phẩm DRAM. Nó giúp công ty vượt qua những thách thức trong việc mở rộng quy mô DRAM bằng cách giảm các bước lặp đi lặp lại trong đa khuôn mẫu. Điều này dẫn đến hiệu suất nâng cao từ phần cứng cũng như thời gian phát triển được rút ngắn.

Phó chủ tịch điều hành DRAM Product & Technology tại Samsung Electronics, Jung-bae Lee, cho biết việc sản xuất DRAM dựa trên EUV mới đang thể hiện cam kết đầy đủ của công ty trong việc cung cấp các giải pháp DRAM mang tính cách mạng để hỗ trợ khách hàng trên toàn cầu. Bước tiến lớn này sẽ đóng góp vào sự đổi mới CNTT toàn cầu, giúp nhanh chóng phát triển các công nghệ xử lý hàng đầu và sản phẩm bộ nhớ thế hệ tiếp theo cho thị trường bộ nhớ cao cấp.

Samsung có kế hoạch triển khai đầy đủ EUV trong các thế hệ sản phẩm DRAM tương lai, bắt đầu với DRAM lớp 10 nm thế hệ thứ 4 (D1a) hoặc DRAM lớp 14 nm. Samsung hy vọng sẽ sản xuất những sản phẩm đó vào năm tới.