Nexus 5 màn hình 4,95 inch, chip “siêu tốc”, ra mắt cuối tháng 10
Theo một tài liệu hướng dẫn vừa rò rỉ trên Internet, chiếc điện thoại Nexus 5 của Google sẽ được trang bị màn hình 4,95 inch IPS, camera 8 megapixel, và sử dụng bộ vi xử lí lõi tứ cao cấp nhất hiện nay của Qualcomm là Snapdragon 800.
Bản phác thảo Nexus 5 trong tài liệu hướng dẫn vừa rò rỉ.
Trang PhoneArena vừa tiết lộ một số thông tin về chiếc điện thoại Nexus 5 của Google do LG sản xuất. Trong tài liệu hướng dẫn sử dụng dài 281 trang vừa rò rỉ trên Internet đã phác họa thiết bị Nexus mới với thiết kế và cấu hình chi tiết khá giống với những nguồn tin đồn thổi về Nexus 5 trong thời gian qua.
Video đang HOT
Theo đó, Nexus 5 sẽ có màn hình 4,95 inch IPS, độ phân giải Full HD 1080 x 1920. Smartphone chạy trên bộ vi xử lí Snapdragon 800 mã MSM8947 tốc độ 2,3 Ghz, RAM 2 GB và bộ nhớ trong 32 GB. Tài liệu hướng dẫn cũng tiết lộ LG Nexus 5 sẽ được trang bị pin dung lượng 2.300mAh và có thể sạc pin không dây.
Một bức ảnh chụp cận cảnh Nexus 5 từ một người thân thiết với LG và Google.
Mặt sau của Nexus 5 sẽ được trang bị camera 8 megapixel với ống kính ổn định hình ảnh quang học (OIS), camera trước chỉ 1,3 megapixel và hỗ trợ video chat. Cũng giống như các dòng điện thoại cao cấp hiện nay, Nexus 5 sẽ được trang bị kết nối LTE và NFC để truyền dữ liệu bằng cách chạm hai thiết bị với nhau.
Ảnh Nexus 5 màu đỏ cũng bị rò rỉ trên Internet.
Trước đó, nhiều nguồn tin khẳng định Google và LG sẽ ra mắt điện thoại Nexus 5.
LG và Google không bình luận về bản tài liệu bị rò rỉ và cũng không tiết lộ về ngày ra mắt sản phẩm của mình.
Theo Dân Trí
Sẽ có chip di động tốc độ kỷ lục 3 Ghz vào năm sau
Thế hệ chip di động mới sẽ có hiệu năng cao nhưng lại ít tốn pin hơn. Theo kế hoạch, TSMC và GlobalFoundries hai hãng chuyên về sản xuất vi xử lý sẽ nâng cấp dây chuyền sản xuất chip di động lên quy trình công nghệ 20 nm có thể nâng xung nhịp của chip di động lên mức cao hơn đồng thời giảm điện năng tiêu thụ.
Hiện tại, xung nhịp cao nhất cho chip di động đạt 2,3 Ghz trên Snapdragon 800 và Tegra 4i được sản xuất trên công nghệ 28 nm. Tuy nhiên, thế hệ chip di động ARM của TSMC dựa trên dây chuyền 20 nm này lại có thể tăng mật độ các bóng bán dẫn trên con chip lên 1,9 lần qua đó giúp xung nhịp được nâng cao đạt tới 3 Ghz. Ngoài ra, khả năng tiêu thụ năng lượng trên thế hệ chip mới cũng được tối ưu hóa giảm 25% lượng điện năng so với công nghệ 28 nm. Đồng nghĩa rằng người dùng sẽ có thể sử dụng những vi xử lý có hiệu năng cao nhưng lại ít tốn pin.
Dự kiến, thế hệ chip di động mới này sẽ được ứng dụng trên các thiết bị như smartphone hay tablet vào năm 2014.
Theo VNE
Chip dành cho smartphone sắp vượt ngưỡng tốc độ 3 GHz Dòng chip xử lý ARM sản xuất theo quy trình 20 nm mới sẽ có hiệu năng nhanh hơn 30% và sử dụng ít điện năng hơn 25% so với các chip hiện nay. Hai hãng chuyên về vi xử lý TSMC và GlobalFoundries dự kiến sẽ sản xuất chip di động sử dụng công nghệ 20 nm từ năm 2014. So với...