Micron và Hynix cùng tung ra bộ nhớ DDR3L-RS cho tablet và ultrabook

Với ưu thế có phần nghiêng về Hynix.

Hai trong số ba nhà sản xuất (NSX) bộ nhớ DRAM lớn nhất thế giới, Micron và Hynix, vừa đồng loạt công bố dòng sản phẩm DDR3L-RS (reduced standby) được tối ưu hoá khả năng tiết kiệm điện khi ở chế độ nghỉ, phù hợp cho những thiết bị đặt nặng tính di động như laptop (ultrabook) hoặc tablet.

Tuy vậy, NSX DRAM Hàn Quốc (Hynix) dường như có ưu thế hơn đối thủ đến từ Mỹ (Micron). Hynix chính thức công bố DDR3L-RS (12-09) trước khi Micron phản pháo vào một tuần sau đấy (18-09). Bộ nhớ DDR3L-RS của Hynix cũng tiên tiến hơn khi dùng tiến trình bán dẫn cấp-20nm (từ 20 – 29nm) trong khi Micron chỉ mới đạt ngưỡng 30nm.

Số lượng sản phẩm mà Hynix tung ra cũng phong phú hơn so với Micron khi có mặt ở cả hai giải pháp: chip rời và module kèm sẵn chip (chúng ta quen gọi là “que RAM”) còn Micron chỉ có giải pháp chip rời. Nhờ dùng node bán dẫn nhỏ hơn, giải pháp chip rời của Hynix có đến 3 mức dung lượng 2, 4 & 8 Gb (gigabit) trong khi Micron chỉ có 2 & 4 Gb. Micron cho biết hãng này đang sản xuất thử nghiệm phiên bản 8 Gb. Ngoài ra phiên bản module SO-DIMM (dành cho laptop) của Hynix có các mức dung lượng 2, 4 & 8 GB (gigabyte).

Hynix cho biết loại bộ nhớ DDR3L-RS sẽ tiết kiệm đến 70% mức tiêu thụ điện ở chế độ standby khi so với các giải pháp DDR3L hiện có của hãng trong khi hiệu năng không hề giảm. DDR3L là loại bộ nhớ mới xuất hiện trên thị trường, hoạt động ở điện áp 1,35 V so với mức chuẩn 1,5 V của DDR3. Micron mặc dù chậm chân hơn, song hãng này hy vọng sang đầu 2013, họ có thể áp dụng chuẩn RS vào các bộ nhớ DDR4.

Micron, Hynix & Samsung hiện là ba kình địch trên thị trường bộ nhớ DRAM, sau khi NSX DRAM Nhật Bản (Elpida) bị Micron mua lại hồi giữa năm nay.

Theo Genk