Micron tung ra bộ nhớ đảo pha đầu tiên cho di động

Bộ nhớ đảo pha ( Phase Change Memory) có tốc độ cao hơn nhiều lần so với NAND flash, dung lượng lớn hơn hẳn DRAM, được kỳ vọng sẽ là hình thức lưu trữ chính trong tương lai.

Micron trình diễn công nghệ bộ nhớ mới (Ảnh: TechRadar)

các thiết bị di động, có khả năng đánh bật phương thức lưu trữ bằng bán dẫn khỏi vị trí số 1.

Micron Technology bắt đầu sản xuất loại bộ nhớ hoàn toàn mới cho

Hãng này đang tạo ra những mô-đun bộ nhớ đảo pha PCM (phase-change memory) thương mại đầu tiên của họ dùng cho điện thoại.

PCM, hay còn gọi là bộ nhớ PRAM (phase-change random access memory), hoạt động dựa trên sự thay đổi trạng thái giữa kết tinh (crystalline) và không kết tinh (amorphous) của vật liệu khi có hay không có dòng điện chạy qua. Chính sự thay đổi trạng thái này (chuyển pha) tạo ra sự khác biệt về điện trở để gán giá trị tương ứng với bit 0 hay 1. PCM hứa hẹn sẽ nhanh hơn, rẻ hơn, tiêu thụ ít điện năng hơn so với nhiều dạng bộ nhớ khác. Hiện tại, giá thành của PCM vẫn còn cao vì quy mô sản xuất chưa lớn.

Để lưu trữ dữ liệu, DRAM yêu cầu điện năng liên tục nhưng PCM thì có thể tiếp tục lưu trữ dữ liệu ngay cả khi thiết bị đã tắt nguồn (giống như bộ nhớ flash). PCM bền hơn hẳn bộ nhớ flash vì không phải thực hiện chức năng xóa trước khi ghi mà đơn giản chỉ ghi đè lên những ô nhớ đã tồn tại các bit dữ liệu.

Các mô-đun bộ nhớ PCM đầu tiên mà Micron Technology sẽ tung ra chỉ có dung lượng 1GB, đặt trên chip cùng với 512MB bộ nhớ RAM thông thường. Những mô-đun PCM đầu tiên này được hướng đến sử dụng trong các điện thoại phổ thông, và kế hoạch để đưa vào điện thoại thông minh và máy tính bảng cũng đang được tiến hành.

Video trình diễn bộ nhớ PCM của Micron (phụ đề tiếng Anh).

Theo vietbao