Elpida công bố Mobile DRAM mỏng nhất thế giới
Công ty chuyên sản xuất DRAM – Elpida Memory Inc (Nhật Bản) đã công bố phát triển thành công bộ nhớ DRAM bốn lớp mỏng 0,8mm và đây cũng là bộ nhớ DRAM mỏng nhất thế giới.
Sản phẩm của Elpida Memory Inc. Ảnh minh họa. (Nguồn: Internet)
Bộ nhớ siêu mỏng gồm bốn chip DDR2 Mobile RAMTM 2-gigabit tiêu thụ ít điện năng và được đóng gói theo công nghệ Package on Package (PoP).
Với phát kiến lần này, Elpida hy vọng sẽ giúp các thiết bị di động có thiết kế mỏng hơn nhưng vẫn duy trì dung lượng bộ nhớ.
Giám đốc điều hành Elpida kiêm lãnh đạo bộ phận kinh doanh DRAM – Yoshitaka Kinoshita cho biết: “Đối với những hệ thống cần mật độ DRAM 8-gigabit với độ dày 0,8mm, giải pháp thông thường là sử dụng hai lớp với mật độ 4-gigabit. Tuy nhiên, thiết kế của chúng tôi mang tính tối ưu với bốn lớp, mỗi lớp 2-gigabit. Qua đó, các nhà sản xuất sẽ có thể thiết kế những hệ thống linh hoạt hơn. Dựa trên công nghệ sản xuất hàng loạt PoP cùng với sự kết hợp của công nghệ Mobile RAM, công nghệ chip xử lý siêu mỏng và công nghệ độ khuôn của Elpida, loại DRAM bốn lớp siêu mỏng đã được ra đời. Điều đặc biệt là giá thành sản xuất vẫn tương đương với các sản phẩm bộ nhớ mỏng 1mm mà công ty đã sản xuất. Bước đi tiếp theo mà Elpida muốn hướng đến là loại DRAM siêu mỏng 4 lớp với mật độ 4-gigabit.”
Theo kế hoạch, Elpida sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt loại DRAM siêu mỏng dành cho di dộng này kể từ quý 3 năm nay.
Video đang HOT
Elpida tin rằng gói chip bốn lớp không chỉ đáp ứng nhu cầu về độ mỏng của chip mà còn về nhu cầu cải tiến mật độ bộ nhớ và khả năng định hình bộ nhớ.
Công nghệ PoP đã và đang được sử dụng để lắp ghép và thử nghiệm nhiều loại chip bán dẫn khác nhau.
Trong một gói chip, các con chip được đóng đè lên nhau để định hình PoP. Kể từ khi công nghệ Pop cho phép giảm bớt khoảng trống lắp ghép và chiều dài dây dẫn, công nghệ đã được mở rộng ứng dụng sang thị trường thiết bị di động.
Những ưu điểm của công nghệ PoP gồm với việc cho phép đóng nhiều chip chồng lên nhau, khoảng cách lắp ghép và gắn kết được giảm xuống; Mỗi gói chip riêng biệt có thể được kiểm tra qua đó giúp giảm chi phí hao tổn; Độ dài dây dẫn cũng được rút ngắn, giảm thiểu ảnh hưởng phản xạ và nhiễu khi bộ nhớ và chip ASIC được kết hợp với nhau; Với việc thay thế bằng nhiều chip chồng lên nhau, mật độ bộ nhớ tăng lên và quy trình nâng cấp cũng có thể được thực hiện dễ dàng, cho phép giảm chi phí và thời gian phát triển./.
Theo TTXVN
Bộ nhớ đổi pha IBM có thể tăng tốc cho DRAM
Bộ nhớ đổi pha của IBM có tốc độ đọc/ghi nhanh hơn flash memory 100 lần và nén dữ liệu ở các cell khác nhau thay vì chỉ trong một đơn vị.
Theo Cnet, IBM đã giải quyết xong hai vấn đề liên quan tới phase-change memory (PCM - bộ nhớ đổi pha) và cho biết công nghệ lưu trữ dữ liệu tốc độ cao này sẽ được sử dụng trên các server vào năm 2016.
Trong một bản báo cáo tại hội thảo IEEE International Memory Workshop, các nhà nghiên cứu của công ty này đã tả lại cách thức nén các bit dữ liệu vào từng cell của bộ nhớ đổi pha thay vì chỉ thực hiện trên một đơn vị. Đây không phải là lần xuất hiện đầu tiên của ý tưởng về bộ nhớ đa cấp. Nhưng các nhà nghiên cứu cho biết họ đã đưa ý tưởng trên vào thực dụng bằng cách khắc phục vấn đề "drift" (lỗi mất dữ liệu khi lưu trữ trong một thời gian dài).
Bộ nhớ PCM của IBM cho phép đọc-ghi dữ liệu với tốc độ nhanh hơn 100 lần so với flash memory.
Ảnh: Engadget.
Nhờ tiến bộ kỹ thuật, công nghệ mới được đưa ra ẩn chứa đầy tiềm năng thay đổi toàn bộ thiết kế của máy tính. PCM có thể cùng với DRAM (bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên động) cải thiện hiệu năng của máy tính. Đây là điều mà bộ nhớ flash không thể thực hiện được. Mặc dù tốc độ không nhanh như DRAM, nhưng PCM có thể đọc và chép dữ liệu nhanh hơn bộ nhớ flash 100 lần, IBM cho biết thêm.
Haris Pozidis, một trong những tác giả của báo cáo trên chia sẻ, công nghệ PCM của IBM hiện vẫn chưa được đưa vào thực dụng, nhưng những cải tiến ở bộ nhớ đa cấp và khả năng chịu drift của công nghệ này sẽ trở nên cạnh tranh vào năm 2016 đối với các ứng dụng server mà công ty này nghĩ ra.
"Ứng dụng chính của chúng tôi, trong ngành kinh doanh máy chủ, là lưu trữ doanh nghiệp va ứng dụng bộ nhớ", Pozidis cho biết. "Trong thị trường người tiêu dùng thông thường, đặc tính quan trọng nhất là chi phí trên mỗi bit. Đối với các ứng dụng doanh nghiệp, đặc tính quan trọng nhất là tốc độ, bởi PCM sẽ đạt tốc độ gần với bộ nhớ chính, nơi có rất nhiều giao tác diễn ra mỗi giây và khả năng duy trì của thiết bị. Chúng ta phải đảm bảo rằng thiết bị có thể đọc và ghi số liệu nhiều lần".
PCM ở cấp máy chủ có thể ra mắt vào năm 2016, nhưng các thị trường với những yêu cầu khác nhau đang đi nhanh hơn một bước.Ví dụ Samsung đang bán chip PCM để sử dụng trên điện thoại nhằm thay thế cho định dạng "NOR" của bộ nhớ flash.
IBM không phải là hãng duy nhất quan tâm tới PCM. Ảnh: Legitreviews.
Đối với máy chủ, mạng máy tính mạnh mẽ lưu trữ website, trao đổi email và các giao dịch tài chính, đây là thị trường rộng lớn thích hợp để thực hiện chuyển đổi. Bộ nhớ flash đã xâm nhập vào thị trường dưới dạng SSD cho phép tăng cường hiệu năng của ổ cứng một cách đáng kể. Ngoài giá cả đắt đỏ, ổ flash SSD còn bị hao mòn dần khi các dữ liệu bị đọc và ghi liên tục.
Độ bền của flash memory thường bị giảm xuống còn 30.000 chu kỳ ghi dữ liệu đối với sản phẩm bộ nhớ cấp doanh nghiệp và 3.000 chu kỳ đối với bộ nhớ dành cho người tiêu dùng thông thường, IBM cho biết. Controller của bộ nhớ flash giải quyết vấn đề trên bằng cách đưa các dữ liệu vào cell mới của flash memory, nhưng hiệu suất sẽ giảm sau mỗi lần như thế. Trong khi đó, PCM có chu kỳ ghi dữ liệu lên tới 10 triệu lần.
Pozidis không hề hy vọng vào việc PCM sẽ thay thế DRAM do khả năng đọc và ghi dữ liệu của công nghệ này không nhanh bằng. Tuy nhiên, nó có thể giúp cải thiện tốc độ của DRAM bằng cách lưu trữ vào bộ nhớ đệm để truy xuất nhanh hơn khi cần.
IBM không phải là nhà sản xuất duy nhất nghiên cứu PCM mà còn có sự tham gia của các hãng khác, trong đó bao gồm cả những công ty đứng đầu về sản xuất bộ nhớ như Hynix, Samsung và Micron. Intel, công ty đã ngừng sản xuất bộ nhớ hàng thập kỷ trước, giờ cũng đang nghiên cứu về bộ nhớ PCM. Bên cạnh đó, còn có rất nhiều nhà nghiên cứu học thuật cũng đang tìm cách giải quyết các vấn đề kỹ thuật liên quan đến bộ nhớ đổi pha. Ví dụ một nhóm ở Stanford đang nghiên cứu công nghệ sử dụng các ống nano carbon đề làm cell PCM thêm nhỏ gọn, các nhà nghiên cứu tại đại học California, San Diego đã tạo ra bộ nhớ PCM 10GB mang tên Onyx.
Hãng này không có ý định sản xuất bộ nhớ đổi pha mà dự kiến sẽ bán giấy phép công nghệ của mình cho các hãng khác, Pozidis cho biết.
Theo
Bộ nhớ DDR4 bị trì hoãn đến năm 2014 Phải mất hơn 3 năm để bộ nhớ DDR3 phát triển và chiếm lĩnh thị trường và nay đã đến lúc chúng ta nghĩ về thế hệ tiếp theo của chuẩn bộ nhớ truy cập ngẫu nhiên (DRAM) - DDR4. Theo dự kiến ban đầu, DDR4 sẽ ra mắt vào năm 2011 và chính thức sản xuất hàng loạt năm 2012, nhưng theo...