Cựu giám đốc Nvidia về đầu quân cho Micron
Micron mới đây vừa đưa ra công bố chỉ định Michael Rayfield vào vị trí Phó chủ tịch nhóm các giải pháp không dây của công ty. Rayfield trước đây là Giám đốc mảng chip di động và là nhạc trưởng trong mảng kinh doanh SoC của Nvidia.
Rayfield sẽ chịu trách nhiệm quản lý tất cả các mặt thuộc nhóm các giải pháp không dây của Micron. Đây là nhóm cung cấp các sản phẩm như DRAM, NAND flash, NOR flash và các giải pháp bộ nhớ PCM. Rayfield cũng phụ trách các gói đa chip (multi-chip package) cũng như thị trường thiết bị di động toàn cầu của Micron. Nhiệm vụ chủ yếu của ông sẽ là tìm ra các giải pháp chip mới cạnh tranh hơn, cụ thể như giúp Micron sản xuất các loại chip chứa cả DRAM và NAND flash. Những con chip này sẽ phục vụ cho các thiết bị di động hiện nay như smarpthone và tablet.
Michael Rayfield rời Nvidia về đầu quân cho Micron.
Video đang HOT
“Micron là công ty sản xuất bộ nhớ hàng đầu. Rayfield là người có nhiều kinh nghiệm trong lĩnh vực chip nhớ, có các kĩ năng lãnh đạo và có các mối quan hệ tốt sẽ giúp cho công ty chúng tôi phát triển mạnh mẽ hơn trong mảng kinh doanh thiết bị di động” – Chủ tịch Mark Adams của Micron cho biết.
Rayfield là người có 15 năm kinh nghiệm quản lý điều hành và gần 30 năm kinh nghiệm làm trong ngành chip di động. 7 năm gần đây ông làm việc cho mảng kinh doanh di động của Nvidia với vai trò Phó chủ tịch và tổng giám đốc (general manager). Michael Rayfield thu được nhiều thành công tại Nvidia với con chip Tegra. Ông đã giúp cho Nvidia cạnh tranh tốt hơn với các đối thủ lớn hơn như Texas Instruments và Qualcomm.
Theo Genk
Micron và Hynix cùng tung ra bộ nhớ DDR3L-RS cho tablet và ultrabook
Với ưu thế có phần nghiêng về Hynix.
Hai trong số ba nhà sản xuất (NSX) bộ nhớ DRAM lớn nhất thế giới, Micron và Hynix, vừa đồng loạt công bố dòng sản phẩm DDR3L-RS (reduced standby) được tối ưu hoá khả năng tiết kiệm điện khi ở chế độ nghỉ, phù hợp cho những thiết bị đặt nặng tính di động như laptop (ultrabook) hoặc tablet.
Tuy vậy, NSX DRAM Hàn Quốc (Hynix) dường như có ưu thế hơn đối thủ đến từ Mỹ (Micron). Hynix chính thức công bố DDR3L-RS (12-09) trước khi Micron phản pháo vào một tuần sau đấy (18-09). Bộ nhớ DDR3L-RS của Hynix cũng tiên tiến hơn khi dùng tiến trình bán dẫn cấp-20nm (từ 20 - 29nm) trong khi Micron chỉ mới đạt ngưỡng 30nm.
Số lượng sản phẩm mà Hynix tung ra cũng phong phú hơn so với Micron khi có mặt ở cả hai giải pháp: chip rời và module kèm sẵn chip (chúng ta quen gọi là "que RAM") còn Micron chỉ có giải pháp chip rời. Nhờ dùng node bán dẫn nhỏ hơn, giải pháp chip rời của Hynix có đến 3 mức dung lượng 2, 4 & 8 Gb (gigabit) trong khi Micron chỉ có 2 & 4 Gb. Micron cho biết hãng này đang sản xuất thử nghiệm phiên bản 8 Gb. Ngoài ra phiên bản module SO-DIMM (dành cho laptop) của Hynix có các mức dung lượng 2, 4 & 8 GB (gigabyte).
Hynix cho biết loại bộ nhớ DDR3L-RS sẽ tiết kiệm đến 70% mức tiêu thụ điện ở chế độ standby khi so với các giải pháp DDR3L hiện có của hãng trong khi hiệu năng không hề giảm. DDR3L là loại bộ nhớ mới xuất hiện trên thị trường, hoạt động ở điện áp 1,35 V so với mức chuẩn 1,5 V của DDR3. Micron mặc dù chậm chân hơn, song hãng này hy vọng sang đầu 2013, họ có thể áp dụng chuẩn RS vào các bộ nhớ DDR4.
Micron, Hynix & Samsung hiện là ba kình địch trên thị trường bộ nhớ DRAM, sau khi NSX DRAM Nhật Bản (Elpida) bị Micron mua lại hồi giữa năm nay.
Theo Genk
Micron dàn xếp xong vụ kiện giá chip của Oracle Hãng sản xuất bán dẫn Micron Technology thông báo đã đạt được thỏa thuận với Oracle trong tối 29/3 để giải quyết một vụ kiện của gã khổng lồ phần mềm liên quan đến việc cố tình tăng giá chip nhớ. Chip của hãng Micron. Ảnh minh họa. (Nguồn: cnet)Vụ kiện năm 2010 nói trên cáo buộc Micron Technology và các công ty...