Bộ nhớ flash NAND mới bé bằng đầu ngón tay

Bộ nhớ flash NAND dung lượng 128GB, sử dụng 8 khuôn 128Gb 20 nm mới, có thể chỉ bé bắng đầu ngón tay.

IMFT là liên doanh sản xuất giữa Intel và Micron.

Liên doanh sản xuất IMFT của Intel và Micron cho biết họ vừa tạo khuôn 128Gb mới. Nhờ đó, khi đóng gói cả tám khuôn này lại với nhau thì sẽ được bộ nhớ flash NAND có dung lượng lên tới 128GB mà chỉ bé bằng đầu ngón tay. Sản phẩm này sẽ được sản xuất đại trài vào đầu năm sau trong khi đó các thiết bị sử dụng bộ nhớ flash NAND mới sẽ xuất xưởng vào năm 2013. IMFT cho biết thêm hãng này cũng sẽ sản xuất đại trà khuôn 64Gb 20nm. Linh kiện này ban đầu ra mắt vào tháng 4 năm nay. Trong khi đó, sản phẩm sẽ được phát hành ra thị trường vào giữa năm sau. Khuôn 128Gb sẽ tới tay người dùng chậm hơn bởi ngoài việc mở rộng dung lượng, nhà sản xuất phải tích hợp vào đó giao tiếp cũng như page size mới. Khuôn flash NAND được chia thành các page ở bên trong và những page lại này được chia nhỏ thành các block. Các tác vụ đọc và ghi dữ liệu được diễn ra tại page còn tác vụ xoá thì lại được thực hiện tại block.

Những thế hệ chip flash hiện tại sử dụng khuôn 64Gb có page size là 8.192 byte. Khuôn 128Gb giúp cho con số này tăng lên tới 16,384 byte nên controller và drive firmware phải được chỉnh sửa nhằm thích ứng với page size mới. Những thế hệ chip flash hiện tại sử dụng giao tiếp ONFi 2.z. Sản phẩm này cho phép chuyển dữ liệu với vận tốc 200 megatransfer/giây (MT/giây) đối với mỗi channel trên controller. Trong khi đó sản phẩm mới sử dụng giao tiếp ONFi 3 với vân tốc lên tới 333 MT/giây. Cũng giống như việc phải mở rộng page size, giao tiếp mới cũng yêu cầu controller và firmware được cập nhật cho phù hợp. Điều này cho thấy, khuôn 128Gb mới không chỉ dừng lại ở việc là phiên bản mởi rộng của model 64Gb. Nó còn khiến cho việc thiết kế và kiểm tra các ổ flash sử dụng chúng trở nên phức tạp hơn.

Bộ nhớ flash NAND 128GB có thể bé bằng đầu ngón tay nhờ sản phẩm mới của Intel và Micron. Ảnh: Arstechnica.

Ngoài dung lượng và tốc độ, một yếu tố khác của bộ nhớ flash là độ bền hay số lần mà mỗi block thực hiện tác vụ xoá trước khi thiết bị hỏng hẳn. Cả hai khuôn 64Gb và 128Gb đều sử dụng công nghệ multi-level cell (MLC hay cell đa cấp). Nhờ đó, mỗi cell flash riêng biệt (đơn vị flash nhỏ nhất, chịu trách nhiệm lưu trữ một giá trị duy nhất) có thể chuyển thành nhiều giá trị khác nhau. Trong hầu hết các trường hợp, những cell này có thể có tới bốn giá trị, tương đương với 2 bit. Nhà sản xuất Samsung hiện tại mới chỉ dừng lại ở việc thử nghiệm chip flash có cell 3 bit. Có một công nghệ khác ngoài MLC là single-level cell (SLC), mỗi cell chỉ có thể chứa 1 bit duy nhất. MLC cho phép mật độ lớn hơn, môi cell chứa nhiều bit hơn nhưng điều này đồng nghĩa với việc thiết bị không được bền. Những thiết bị sử dụng công nghệ MLC chỉ chịu được vài nghìn lần xoá trong khi SLC lên tới hàng chục nghìn lần.

Việc thu nhỏ khuôn cũng khiến cho độ bền của sản phẩm bị giảm đi. Bộ nhớ flash MLCD 65 m có thể chịu được 5.000-10.000 chu kỳ xoá trong khi thế hệ 25 nm mới chỉ giới hạn ở mức 3.000-5.000. Tuy nhiên, nhờ thiết kế cổng Hi-K/metal, hãng này có transistor nhỏ hơn nhưng cũng bền hơn do đó không bị rơi vào tình trạng như trên. Đây cũng là những sản phẩm đầu tiên được trang bị cổng Hi-K/metal.

Theo Arstechnica, khi chip sử dụng khuôn mới được tung ra ngoài thị trường, nó sẽ giúp cho ổ 2,5 inch tiêu chuẩn có dung lượng lên tới 2TB trong khi những thanh bộ nhớ nhỏ hơn trên ultrabook và MacBook Air sẽ có dung lượng là 1TB.

Theo Số hóa