Samsung trình làng bộ nhớ tốc độ 4 Gb mới cho thiết bị di động

Bộ nhớ LPDDR3 được sản xuất trên quy trình 20 nm có hiệu năng cao hơn, nhưng lại ít tiêu thụ điện năng hơn nhiều so với thế hệ bộ nhớ DRAM tiến trình 30 nm trước đây.

Samsung đang ngày càng thu hẹp khoảng cách giữa các thiết bị di động và PC khi chính thức tuyên bố bắt tay vào sản xuất các bộ nhớ LPDDR3 (Low power DDR3) tốc độ 4 Gb đầu tiên trên thế giới. Với thế hệ bộ nhớ tốc độ cao này, người dùng các thiết bị di động như smartphone, tablet sẽ có những trải nghiệm tuyệt vời về khả năng xử lý đa phương tiện tựa như đang sử dụng chính một chiếc PC cấu hình mạnh mẽ.

Chip nhớ LPDDR3 có thể truyền tải 17GB chỉ trong vòng 1 giây. Ảnh: Samsung.

LPDDR3 được sản xuất hướng đến các model smartphone và tablet cao cấp cũng như các thiết bị di động đòi hỏi khả năng xử lý đa phương tiện mạnh mẽ. Theo Samsung, LPDDR3 có tốc độ cao gấp đôi này có thể giúp các thiết bị di động truyền tải 3 bộ phim HD (tổng dung lượng 17 GB) chỉ trong vòng một giây đồng hồ.

Cũng theo Samsung, nếu so với các bộ nhớ LPDDR2 sản xuất trên tiến trình 30 nm trước đây, LPDDR3 có hiệu năng cải thiện hơn 30% trong khi mức tiêu thụ điện năng thấp hơn đến 20%. Tốc độ truyền tải dữ liệu tối đa của LPDDR3 đạt 2,133 Gb/giây ở mỗi chân – cao hơn gấp 2 lần so với thế hệ bộ nhớ LPDDR2 (tốc độ 800 Mb/giây). Thêm vào đó, với kích thước nhỏ hơn nhiều, các hãng sản xuất có thể đóng gói 4 bộ nhớ LPDDR3 vào cùng một chip dung lượng 2 GB dày khoảng 0,8mm một cách dễ dàng.

Theo số liệu của hãng nghiên cứu thị trường Gartner, thị trường DRAM được dự báo là có thể tăng thêm 13% để đạt đến mức 29,6 tỷ USD tại thị trường Mỹ trong năm 2013 này; trong đó doanh thu từ bộ nhớ di động có thể đạt con số 10 tỷ USD. Samsung cũng cho hay, hãng sẽ tiếp tục đẩy mạnh sản xuất chip nhớ trong nửa cuối năm 2013 này.

Theo VNE