Nữ sinh Mỹ khiến Google chú ý với phát minh sạc siêu nhanh

Phát minh của Eesha Khare (18 tuổi), được trưng bày tại hội chợ Khoa học và Kỹ thuật của Intel năm nay, cho phép sạc đầy điện thoại chỉ từ 20 đến 30 giây.

Dự án của Eesha có tên “Thiết kế và cách tổng hợp nanorod TiO2-Polyaniline bị hydro hoá nhằm tạo ra siêu tụ dẻo hiệu suất cao”. Công nghệ này cho phép các thiết bị di động có thể sạc đầy pin trong thời gian siêu ngắn mà lại có tuổi thọ lên tới 10.000 lần sạc, cao gấp 10 lần so với hiện nay.

Eesha Khare và phát minh sạc siêu nhanh cho di động.

Eesha Khare cho biết Google tỏ ra thích thú đối với phát minh này khi liên lạc với cô. Tuy nhiên, nữ sinh 18 tuổi không đề cập chi tiết đến cuộc nói chuyện giữa hai bên. Theo Phone Arena , nếu đưa được được công nghệ sạc siêu nhanh của Eesha vào các sản phẩm, Google sẽ không phải phụ thuộc vào các hãng sản xuất thứ ba nữa.

Bên cạnh đó, nguồn tin cho biết với tính chất dẻo, phát minh của Eesha còn có thể được sử dụng trên cả những sản phẩm phức tạp như bóng đèn LED, thiết bị có màn hình uốn cong hay ổ SSD. Thậm chí, công nghệ sạc pin siêu nhanh còn có thể được áp dụng trên cả các loại xe chạy bằng điện trong tương lai chứ không chỉ dừng lại ở những thiết bị di động như smartphone hay tablet.

Về phía Eesha Khare, cô không chỉ thu hút được sự chú ý của “gã khổng lồ tìm kiếm” mà còn đạt giải nhì trong sự kiện của Intel lần này. Eesha cho biết sẽ dùng số tiền học bổng trị giá 50.000 USD để theo học ở Đại học Harvard và tiếp tục nghiên cứu phát minh của mình.

Theo VNE