Bộ nhớ RRAM hứa hẹn tạo sự đột phá trong công nghệ bộ nhớ

Bộ nhớ mới RRAM cho tốc độ ghi dữ liệu cao hơn 20 lần (có thể lên tới 140 MB/giây) so với NAND Flash hiện nay.

Khi mà các nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND luôn tự hào về các tiến trình công nghệ mới, thì hãngCrossbar mới đây lại giới thiệu một công nghệ mới hứa hẹn sẽ tạo nên sự đột biến trong công nghệ bộ nhớ. Crossbar cho biết họ đang phát triển loại bộ nhớ có tên Resistive RAM (RRAM). So với các chip flash NAND, bộ nhớ của Crossbar rất nhỏ gọn với kích thước chỉ bằng 1 nửa. Đồng thời, RRAM cho tốc độ ghi dữ liệu cao hơn 20 lần (có thể lên tới 140 MB/giây), trong khi tốc độ đọc dữ liệu đạt 17 MB/giây. Chưa hết, chúng còn tiết kiệm điện hơn, tiêu thụ điện ít hơn 20 lần so với chip NAND. Bộ nhớ này cũng bền hơn 10 lần so với bộ nhớ mà chúng ta đang dùng hiện nay.

RRAM là loại bộ nhớ “không bay hơi” (non-volatile) có nghĩa là nó có khả năng lưu trữ dữ liệu ngay cả khi nguồn điện bị ngắt. Ngoài ra, cấu trúc chồng cell kiểu 3D cho phép Crossbar dễ dàng tăng dung lượng của bộ nhớ lên mà không phải tăng kích thước vật lý của chip. Một con chip kích thước 200 x 200mm có thể cho dung lượng lên tới 1 terabyte. Chi phí để sản xuất loại bộ nhớ này cũng không quá đắt bởi chúng không cần tới các loại vật liệu mới mà có thể dùng luôn các loại vật liệu để sản xuất bộ nhớ hiện nay. Thậm chí, chi phí sản xuất RRAM còn rẻ hơn so với chi phí để tạo nên bộ nhớ flash NAND hiện tại.

Ngoài việc tự sản xuất chip nhớ thì Crossbar cho biết họ cũng sẽ cấp phép bản quyền để các bên thứ 3 có thể cùng bắt tay sản xuất và phổ biến RRAM. Dự kiến công nghệ này sẽ phải mất từ 2 đến 3 năm để có mặt trên các thiết bị công nghệ như smartphone hay tablet. Tuy nhiên, quá trình này có thể được rút ngắn lại hoặc kéo dài thêm tùy vào nhu cầu thị trường.

Theo VNE