Bộ nhớ flash của thiết bị di động sắp hết thời
Các dữ liệu nghiên cứu của IHS iSuppli cho thấy bộ nhớ tích hợp trên smartphone và tablet ngày càng ít do sự phát triển của dịch vụ lưu trữ đám mây.
Theo báo cáo của công ty nghiên cứu thị trường IHS iSuppli, dung lượng lưu trữ trung bình của mỗi chiếc điện thoại cầm tay được bán ra trong khoảng nửa đầu năm 2012 giảm từ 13,2 GB xuống còn 12,8 GB. Khảo sát với các mẫu máy tính bảng cũng cho kết quả tương tự. Theo IHS iSuppli, sự suy giảm dung lượng lưu trữ tích hợp bình quân trên mỗi thiết bị đã xảy đến sớm hơn dự kiến.
Những dữ liệu nghiên cứu cho thấy dung lượng bộ nhớ flash của các thiết bị di động ngày càng giảm do sự phát triển của các dịch vụ lưu trữ trực tuyến. Ảnh: Thememoryguy.
Video đang HOT
Báo cáo khác của IHS iSuppli cũng cho thấy trong giai đoạn từ nửa đầu năm 2011 đến cùng thời điểm của năm 2012, dung lượng bộ nhớ flash được tích hợp trong mỗi thiết bị đã giảm 25% (từ 32,1 GB xuống còn trung bình 24 GB) và nửa đầu năm nay còn tệ hơn – khi dung lượng bộ nhớ tích hợp bình quân trên mỗi thiết bị giảm xuống chỉ còn 14 GB (tương đương với 42%).
Với thị trường máy tính bảng, dung lượng lưu trữ trung bình trên mỗi tablet cỡ nhỏ cũng giảm 50% so với những mẫu tablet 10 inch đang có mặt trên thị trường. Ngoài ra, việc một số mẫu smartphone mới không được trang bị khe cắm thẻ nhớ rời cũng gây trở ngại cho những nhà sản xuất bộ nhớ flash. Trước tình hình này, một số nhà sản xuất bộ nhớ flash cũng đã chuyển sang sản xuất các ổ cứng thể rắn ( SSD) cho thị trường máy tính xách tay và ultrabook. Samsung và Toshiba đã chính thức tuyên bố tạm ngưng việc sản xuất bộ nhớ flash NAND cho đến khi nhu cầu sử dụng ổ SSD tăng và việc sản xuất bộ nhớ flash NAND này mang lại lợi nhuận. Tuy nhiên, việc chuyển hướng này cũng chưa thực sự mở ra một cơ hội mới tốt hơn.
Theo ông Ryan Chien, một chuyên viên phân tích của IHS, nguyên nhân dẫn đến sự sụt giảm là sự phát triển của những dịch vụ sử dụng nền tảng điện toán đám mây.
Theo VNE
OCZ công bố Vertex 3.20: SSD giá mềm
OCZ mới đây vừa công bố mẫu SSD Vertex 3 phiên bản mới dùng công nghệ bộ nhớ flash NAND 20 nm với tên gọi Vertex 3.20. Giống như các model khác thuộc dòng Vertex 3.20 Series, Vertex 3.20 dùng giao tiếp SATA 6Gbps, công nghệ MLC (multi-level: lưu trữ 2 bit dữ liệu/cell), và bộ điều khiển LSI SandForce SF-2200.
Hiệu năng của Vertex 3.20 cũng tương tự với những người tiền nhiệm. Sự khác biệt là với công nghệ bộ nhớ flash NAND 20 nm (các phiên bản trước dùng công nghệ flash NAND 25 nm), giá bán của Vertex 3.20 hứa hẹn sẽ mềm hơn do chi phí sản xuất với công nghệ này ít tốn kém hơn. Tuy nhiên cho tới nay thì OCZ chưa công bố thông tin gì về giá thành sản phẩm. OCZ Vertex 3.20 có các phiên bản dung lượng 120GB 240GB. Bản 480GB sẽ ra mắt sau.
Một số so sánh giữa Vertex 3.20 so với các phiên bản dùng công nghệ flash NAND 25 nm:
- Vertex 3.20 (20nm) bản 120 GB: tốc độ đọc tuần tự 550MB/s, tốc độ ghi tuần tự 520MB/s, chỉ số đọc IOPS(*) 20.000, chỉ số ghi IOPS 40.000.
- Vertex 3 (25nm) bản 120 GB: tốc độ đọc tuần tự 550MB/s, tốc độ ghi tuần tự 500MB/s, chỉ số đọc IOPS 20.000, chỉ số ghi IOPS 60.000.
- Vertex 3.20 (20nm) bản 240 GB: tốc độ đọc tuần tự 550MB/s, tốc độ ghi tuần tự 520MB/s, chỉ số đọc IOPS 35.000, chỉ số ghi IOPS 65.000.- Vertex 3.20 (25nm) bản 240 GB: tốc độ đọc tuần tự 550MB/s, tốc độ ghi tuần tự 520MB/s, chỉ số đọc IOPS 40.000, chỉ số ghi IOPS 60.000.
* IOPS: Input/Output (operations) Per Second (tốc độ hoạt động vào/ra trên một giây).
Theo Genk
Kingston ngừng hợp tác với FPT trong lĩnh vực phân phối RAM Kingston Technology, hãng sản xuất bộ nhớ độc lập của Mỹ với thị phần đứng đầu toàn cầu, hôm nay chính thức thông báo về sự điều chỉnh nhà phân phối trong kênh bán hàng. Theo đó, hãng chỉ định hai nhà phân phối mới (MTC, SPC) và tạm ngừng hợp tác với hai nhà phân phối (FPT, PSD) đối với sản phẩm...