Bo mạch chủ H570 và B560 được nâng cấp ép xung bộ nhớ tốt hơn

Cuối cùng thì các bo mạch chủ không phải dòng Z cũng đã được hỗ trợ ép xung bộ nhớ kể từ 500-series, cụ thể là dải sản phẩm H570 và B560.

Những game thủ sử dụng các hệ thống phổ thông và tầm trung với bo mạch chủ H570 và B560 đã có thể tăng tốc cho các cặp RAM của mình lên mức cao hơn tốc độ mà nhà sản xuất cho phép, nhằm cải thiện hiệu năng hệ thống.

Intel trước đây chỉ hỗ trợ ép xung bộ nhớ trên các bo mạch chủ dòng Z. Điều này khiến cho người dùng không có nhiều lựa chọn khi xây dựng hệ thống mới. Ở nền tảng Comet Lake-S, các vi xử lý từ i7 đến i9 hỗ trợ bộ nhớ DDR-2933MHz, nhưng từ i5 trở xuống, hệ thống chỉ hỗ trợ DDR4-2666MHz. Vì thiếu sự hỗ trợ ép xung bộ nhớ, các bo mạch chủ H470 và B460 chỉ hoạt động tối đa ở mức DDR4-2933MHz. Trên H570 và B560, Intel đã thay đổi điều này.

Người dùng @momomo_us đã đăng tải trên Tom’s Hardware, cho thấy Rocket Lake-S sẽ hỗ trợ DDR4-3200MHz trên Core i5, i7 và i9, trong khi Core i3 và Pentium sẽ hỗ trợ tối đa DDR4-2666MHz ở cả H570 lẫn B560, bên cạnh Z590.

Việc hỗ trợ các mức xung nhịp RAM khác nhau cho thấy những vi xử lý Intel thế hệ 11 có thể sẽ là sản phẩm hoàn toàn mới Rocket Lake-S kết hợp với Comet Lake-S được làm mới.

Nếu người dùng cần có tốc độ RAM nhanh hơn khi sử dụng cùng Core i 5 trên các bo mạch chủ 500-series nay đã yên tâm khi dải sản phẩm này hỗ trợ DDR4-3200MHz. Ngoài ra, các bo mạch chủ H570 và B560 cũng sẽ hỗ trợ khả năng ép xung RAM khi kết hợp cùng các vi xử lý Core i5, i7 và i9.