Samsung giới thiệu ổ SSD công nghệ chip 3D thế hệ mới

Dòng ổ SSD mới của Samsung sử dụng công nghệ chip nhớ V-NAND 3D với 32 lớp tế bào ô nhớ xếp chồng lên nhau theo chiều dọc, có các mức dung lượng lưu trữ gồm 128 GB, 256 GB, 512 GB và 1 TB.

Hãng điện tử Samsung của Hàn Quốc vừa công bố đã bắt đầu đưa vào sản xuất hàng loạt dòng ổ SSD mới dựa trên công nghệ Vertical NAND (V-NAND) thế hệ thứ hai của hãng. Đồng thời, đây cũng là dòng ổ SSD sử dụng bộ nhớ flash V-NAND 3D đầu tiên của ngành công nghiệp, sử dụng 32 lớp tế bào ô nhớ xếp chồng lên nhau theo chiều dọc.

Công nghệ V-NAND 3D 32 lớp mới của Samsung là một thiết kế đòi hỏi một mức độ để xếp chồng các ô nhớ di động cao hơn so với công nghệ 24 lớp V-NAND trước đây. Tuy nhiên, nó vẫn mang lại hiệu quả sản xuất lớn hơn nhiều vì Samsung về cơ bản có thể sẽ sử dụng cùng một thiết bị mà hãng đã sử dụng để sản xuất thế hệ V-NAND đầu tiên.

Hồi tháng 8 năm ngoái, Samsung đã công bố loạt chip flash NAND 3D thế hệ đầu tiên, gồm 24 lớp chứa các ô nhớ được xếp chồng lên nhau theo chiều dọc. Thiết kế đặt chip lưu trữ trong một cấu trúc dọc được xem như là một cách mới để thêm dung lượng lưu trữ cho các thiết bị nhỏ hơn, đồng thời mang lại hiệu quả về năng lượng nhiều hơn. Các lớp truyền dữ liệu với nhau thông qua một thiết bị liên kết riêng. Công nghệ chip xếp chồng hiện cũng đã được sử dụng trong nhiều thiết bị chip nhớ của các hãng khác trên thị trường và các hệ thống chip SoC (system-on-a-chip).

Samsung cho biết, các ổ SSD mới có độ bền cao gần gấp đôi cùng với khả năng sử dụng điện năng ít hơn 20% so với loại ổ công nghệ chip nhớ NAND MLC 2D có các mô-đun nhớ được sắp xếp cạnh nhau. Samsung dự kiến cũng sẽ giới thiệu thế hệ ổ SSD 3D sử dụng loại chip NAND MLC này vào cuối năm nay, với độ tin cậy cao hơn và mật độ cao hơn.

Dòng ổ SSD này được nhắm đến dùng cho các dòng máy tính cao cấp, hiện có các phiên bản dung lượng ổ đĩa 128 GB, 256 GB, 512 GB và 1 TB. Samsung hiện chưa công bố giá của dòng ổ SSD mới này.

Theo PCWorld VN