Điện thoại tầm trung đán.h bại Galaxy S4 trong bài test benchmark
Hãng điện thoại Trung Quốc Xiaomi vừa trình làng một mẫu điện thoại nâng cấp của smartphone MI-2 với tên gọiXiaomi MI-2S . Chiếc điện thoại này được trang bị vi xử lý lõi tứ Snapdragon 600 tốc độ 1,7 GHz tương tự như trên HTC One và LG Optimus G Pro nhưng xung nhịp thấp hơn một chút so với Samsung Galaxy S4 (1,9 GHz). Tuy cùng sử dụng CPU Krait 300 nhưng điều ngạc nhiên là Xiaomi MI-2Slại có điểm số benchmark tốt hơn so với Galaxy S4.
Theo đó, chiếc điện thoại tới từ Trung Quốc đạt được tới 25.913 điểm AnTuTu và 12.868 điểm Quadrant benchmark. Đây là số điểm cao nhất hiện nay ghi nhận ở một thiết bị chạy Android bán trên thị trường. Tuy vậy, điểm số Vellamo của MI-2S lại thấp hơn một số smartphone cao cấp như Galaxy Note 2 hay Sony Xperia Z.
Điểm số benchmark rất cao của Xiaomi MI-2S.
Video đang HOT
Về mặt cấu hình phần cứng, Xiaomi MI-2S chỉ sở hữu các thông số khác ở mức trung bình. Cụ thể, máy được trang bị màn hình 4,3 inch độ phân giải 720p cùng 2 GB RAM. Máy có nguồn pin dung lượng 2.000 mAh nhưng người dùng có thêm tùy chọn viên pin dung lượng 3.000 mAh. Bên cạnh đó, MI-2S chạy giao diện MIUI 5 trên nền hệ điều hành Android 4.1 Jelly Bean.
Xiaomi MI-2S hiện có 2 tùy chọn về giá bán. Đó là 370 USD cho phiên bản bộ nhớ trong 32 GB cùng camera sau 13 MP và 320 USD cho phiên bản bộ nhớ 16 GB kèm camera 8 “chấm”.
Theo GenK
RAM 'khủng' Kingston HyperX Predator cho tín đồ ép xung
Dòng RAM của Kingston có nhiều phiên bản với tốc độ bus khác nhau tối đa tới 2.666 MHz, dung lượng 32 GB và cho phép ép xung qua thao tác đơn giản.
Mỗi bộ kit đều đi kèm hai thanh với thông số giống hệt nhau.
Thiết kế chữ X lớn và chiếm nhiều diện tích trên phần tản nhiệt.
Bộ tản nhiệt được gắn chắc chắn vào bo mạch RAM.
Thiết kế các đường răng cưa để tăng diện tích tiếp xúc không khí.
Dòng RAM mới của Kinston mang tên HyperX Predator với tốc độ (bus) khác nhau, từ 1.600 MHz đến 2.666 MHz và có dung lượng từ 8 GB đến 32 GB. Cụ thể, các model bao gồm DDR3-1600 JEDEC, DDR3-1600 XMP, DDR3-1866 MHz XMP, DDR3-2133 MHz XMP, DDR3-2400 MHz XMP, và DDR3-2666 MHz XMP. Dung lượng được chia làm 3 loại bao gồm thanh 8 GB, 16 GB và 32 GB và cung cấp theo kit 2 hoặc 4 thanh cho một bộ sản phẩm. Điện áp cho dòng RAM này dao động từ 1,5 V - 1,65 V với độ trễ thấp 9T.
Phiên bản được giới thiệu dưới đây là bộ kit 16 GB (mỗi thanh có dung lượng 8 GB) mang tên mã KHX21C11T2K2/16X. Bộ linh kiện sử dụng bus 2.133 Mhz.
Giống như các loại RAM cao cấp khác, HyperX Predator đi kèm hệ thống tản nhiệt khá hầm hố. Phần đầu có cấu tạo như các răng lược, được xẻ rãnh nhằm tăng diện tích tiếp xúc với không khí giúp tản nhiệt nhanh. Các thành phần được gắn vào bo mạch RAM chắc chắn và không hề có độ dơ khi thử lắc hoặc lay linh kiện.
HyperX Predator là món đồ chơi đáng giá dành cho dân đam mê phần cứng với sự toàn diện cả về hình thức lẫn thông số "khủng". Hơn nữa, người sử dụng không cần có quá nhiều kiến thức về ép xung OC mà chỉ cần thực hiện một số thao tác đơn giản trong bios đã có thể thiết lập bộ kit hoạt động ở xung nhịp cao.
Giá bán cho bộ sản phẩm này là khoảng 145 USD (tương đương hơn 3 triệu đồng).
Theo VNE
Intel ra ổ SSD mới nhanh và rẻ hơn thế hệ cũ Mẫu ổ SSD S3700 vừa được Intel trình làng cho tốc độ đọc nhanh gấp 2 lần và ghi nhanh gấp 15 lần so với series 710 ra mắt vào tháng 9 năm ngoái. Ổ SSD của Intel nhanh và rẻ hơn so với thế hệ cũ. Theo dự kiến, ổ SSD mới sẽ được Intel bán vào đầu năm sau. DC S3700...