Chăm dưỡng da nhưng nếu bạn phạm phải lỗi này thì hỏng

Thực hiện các bước dưỡng da quá sát nhau sẽ gây ra hiện tượng “bội thực”.

Thật đáng mừng khi các thương hiệu mỹ phẩm xuất hiện ngày một nhiều, tạo điều kiện cho chị em 4 phương 8 hướng có cơ hội tiếp cận các sản phẩm dưỡng da mà chẳng phải nhọc công tìm kiếm. Nhưng sở hữu các món skincare trong tay mà không biết sử dụng thì thật chẳng khác nào đem bảo gươm ra mà… chặt thịt gà. Điều này cũng tương tự việc “tậu” kem dưỡng da đắt tiền mà sử dụng sai cách, thao tác không chuẩn xác, khoảng cách các bước dưỡng da không hợp lý,…

Trong đó, việc không để thời gian cho kem dưỡng da ngấm là sai lầm làm giảm thiểu công dụng sản phẩm. Thời gian quá ngắn khiến sản phẩm chưa kịp thẩm thấu và sẽ hòa lẫn với chất khác, thậm chí gây ra tình trạng “bội thực” vì da phải cố gắng hấp thu quá nhiều sản phẩm cùng lúc.

Ngược lại, thời gian quá dài lại làm cho da chịu ảnh hưởng khá lớn, dễ bị kích ứng hơn. Đó là chưa kể tình trạng da đổ dầu và mồ hôi, da bắt bụi,… cũng dễ gây mụn, giảm hiệu quả của sản phẩm.

Chuyên da chăm sóc da Sunday Riley cho biết nhiều người quên mất việc tạo khoảng thời gian nghỉ giữa thao tác bôi kem dưỡng ẩm và makeup. Cô nhấn mạnh rằng không nên bôi lớp foundation ngay sau khi thoa kem dưỡng ẩm, cần đợi cho đến khi lớp kem ngấm vào da rồi mới tiếp tục thực hiện các bước sau đó.

Sunday chia sẻ: “Tôi thoa kem dưỡng ẩm lên và sau đó quay ra làm một vài việc khác rồi mới bắt đầu trang điểm. Có như vậy, dưỡng chất từ kem mới có thời gian ngấm vào da, và việc bôi kem nền hay makeup sau đó cũng không làm ảnh hưởng đến lớp kem dưỡng ẩm”.

Vậy các bước chăm sóc da cách nhau bao lâu là tốt nhất?

Chúng ta cần nghỉ ngơi 3 sau khi tẩy trang, thư giãn 2 sau khi sử dụng sữa rửa mặt, thoa toner và massage cho da khoảng 20, nghỉ khoảng 5 – 7 sau khi dùng serum rồi mới dùng kem khoá ẩm.

Nếu bạn sử dụng nhiều hơn một loại serum, thời gian nghỉ sẽ kéo dài ra thêm. Với chất kem dưỡng đặc, nhiều dầu và khó thẩm thấu, bạn càng phải chú trọng thời gian nghỉ giữa các bước dưỡng.