Bộ nhớ NAND có xu hướng thay thế DRAM trên máy tính
Việc kết hợp bộ nhớ NAND với DRAM và HDD giúp cho hệ thống đạt năng suất tương đương với SSD.
Ngành công nghiệp sản xuất DRAM đang bị bộ nhớ NAND đe doạ. Ảnh:Informationgroud.
Một nghiên cứu của Objective Analysis cho thấy, ngành công nghiệp sản xuất DRAM đang bị đe doạ bởi bộ nhớ flash NAND.
Sau khi đán.h giá một số lượng lớn cấu hình DRAM và NAND flash memory, cũng như “benchmark” gần 300 PC tiêu chuẩn, các nhà nghiên cứu kết luận rằng, với giá cả như hiện nay, 1 USD đầu tư trên bộ nhớ flash NAND có khả năng cải thiện hiệu suất tốt hơn khi bỏ ra số tiề.n tương tự trên DRAM.
Video đang HOT
“Sau một thời gian, sự chênh lệch về giá cả cũng như hiệu suất giữa hai công nghệ trên sẽ càng rõ rệt. Điều này sẽ khiến cho NAND được sử dụng trên PC nhiều hơn”, Jim Handy, tác giả của nghiên cứu trên cho biết. Ông chia sẻ “một khi các nhà sản xuất hệ thống và người sử dụng phát hiện ra sự thật này, DRAM sử dụng trên PC sẽ ngừng tăng trưởng”.
Một số nhà nghiên cứu ở nhiều trường đại học và các nhà quản lý trung tâm dữ liệu cho biết bộ nhớ NAND có xu hướng thay thế DRAM trên máy tính hơn là ổ cứng.
Handy nói, “việc kết hợp giữa NAND và DRAM sẽ mang lại năng suất tương đương với SSD mà mức giá chênh lệch không nhiều so với một hệ thống chỉ dựa trên DRAM và HDD.”
Thị trường DRAM đang bi suy giảm một cách nghiêm trọng. Ảnh: Techtickerblog.
Công ty nghiên cứu thị trường iSuppli cho biết, thị phần của DRAM suy giảm một cách nghiêm trọng so với dự đoán trong năm 2011. Trong khi đó, giá của bộ nhớ flash NAND vẫn tiếp tục giảm.
iSuppli cho biết thêm, doanh thu DRAM toàn cầu trong năm 2011 dự kiến sẽ giảm 11,8%, từ 40,3 tỷ USD trong năm 2010 xuống còn 35,5 triệu USD. Công ty nghiên cứu này cũng cho biết rằng, doanh thu của DRAM vẫn sẽ tiếp tục “hỗn loạn” sau năm 2011.
Đồng thời, nguồn cung NAND memory trên toàn thế giới dự kiến sẽ tăng 79,3% so với cùng kỳ năm 2011, theo DRAMeXchange.
Theo Số Hóa
Elpida công bố Mobile DRAM mỏng nhất thế giới
Công ty chuyên sản xuất DRAM - Elpida Memory Inc (Nhật Bản) đã công bố phát triển thành công bộ nhớ DRAM bốn lớp mỏng 0,8mm và đây cũng là bộ nhớ DRAM mỏng nhất thế giới.
Sản phẩm của Elpida Memory Inc. Ảnh minh họa. (Nguồn: Internet)
Bộ nhớ siêu mỏng gồm bốn chip DDR2 Mobile RAMTM 2-gigabit tiêu thụ ít điện năng và được đóng gói theo công nghệ Package on Package (PoP).
Với phát kiến lần này, Elpida hy vọng sẽ giúp các thiết bị di động có thiết kế mỏng hơn nhưng vẫn duy trì dung lượng bộ nhớ.
Giám đốc điều hành Elpida kiêm lãnh đạo bộ phận kinh doanh DRAM - Yoshitaka Kinoshita cho biết: "Đối với những hệ thống cần mật độ DRAM 8-gigabit với độ dày 0,8mm, giải pháp thông thường là sử dụng hai lớp với mật độ 4-gigabit. Tuy nhiên, thiết kế của chúng tôi mang tính tối ưu với bốn lớp, mỗi lớp 2-gigabit. Qua đó, các nhà sản xuất sẽ có thể thiết kế những hệ thống linh hoạt hơn. Dựa trên công nghệ sản xuất hàng loạt PoP cùng với sự kết hợp của công nghệ Mobile RAM, công nghệ chip xử lý siêu mỏng và công nghệ độ khuôn của Elpida, loại DRAM bốn lớp siêu mỏng đã được ra đời. Điều đặc biệt là giá thành sản xuất vẫn tương đương với các sản phẩm bộ nhớ mỏng 1mm mà công ty đã sản xuất. Bước đi tiếp theo mà Elpida muốn hướng đến là loại DRAM siêu mỏng 4 lớp với mật độ 4-gigabit."
Theo kế hoạch, Elpida sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt loại DRAM siêu mỏng dành cho di dộng này kể từ quý 3 năm nay.
Elpida tin rằng gói chip bốn lớp không chỉ đáp ứng nhu cầu về độ mỏng của chip mà còn về nhu cầu cải tiến mật độ bộ nhớ và khả năng định hình bộ nhớ.
Công nghệ PoP đã và đang được sử dụng để lắp ghép và thử nghiệm nhiều loại chip bán dẫn khác nhau.
Trong một gói chip, các con chip được đóng đè lên nhau để định hình PoP. Kể từ khi công nghệ Pop cho phép giảm bớt khoảng trống lắp ghép và chiều dài dây dẫn, công nghệ đã được mở rộng ứng dụng sang thị trường thiết bị di động.
Những ưu điểm của công nghệ PoP gồm với việc cho phép đóng nhiều chip chồng lên nhau, khoảng cách lắp ghép và gắn kết được giảm xuống; Mỗi gói chip riêng biệt có thể được kiểm tra qua đó giúp giảm chi phí hao tổn; Độ dài dây dẫn cũng được rút ngắn, giảm thiểu ảnh hưởng phản xạ và nhiễu khi bộ nhớ và chip ASIC được kết hợp với nhau; Với việc thay thế bằng nhiều chip chồng lên nhau, mật độ bộ nhớ tăng lên và quy trình nâng cấp cũng có thể được thực hiện dễ dàng, cho phép giảm chi phí và thời gian phát triển./.
Theo TTXVN
Bộ nhớ đổi pha IBM có thể tăng tốc cho DRAM Bộ nhớ đổi pha của IBM có tốc độ đọc/ghi nhanh hơn flash memory 100 lần và nén dữ liệu ở các cell khác nhau thay vì chỉ trong một đơn vị. Theo Cnet, IBM đã giải quyết xong hai vấn đề liên quan tới phase-change memory (PCM - bộ nhớ đổi pha) và cho biết công nghệ lưu trữ dữ liệu tốc...