Samsung phát triển thành công RAM 4G tốc độ cao, ít hao pin cho smartphone

Vừa qua, hãng điện thoại Hàn Quốc Samsung đã phát triển thành công thế hệ RAM LPDDR4 cho các thiết bị di động với nhiều cải tiến đáng giá. Thế hệ RAM mới này được sản xuất dựa trên quy trình công nghệ 20 nm đem lại hiệu năng cao cũng như tiêu tốn ít điện năng hơn.

Nhờ được tích hợp công nghệ mang tên Low Voltage Swing Terminated Logic mà RAM LPDDR4 của Samsung có thể truyền tải dữ liệu trên mỗi luồng ở tốc độ 3.200 Mbps nhanh hơn gấp đôi so với công nghệ LPDDR3 hiện tại trong khi điện năng tiêu thụ chỉ bằng 40 % tại điện áp 1.1 vol. Nói một cách nôm na, tốc độ chạy ứng dụng trên smartphone hoặc máy tính bảng có sử dụng RAM mới của Samsung sẽ được tăng lên mà không gây tốn pin.

Bên cạnh việc gia tăng tốc độ thì công nghệ mới của Samsung còn có thể gia tăng băng thông RAM lên 4 GB, đáp ứng cho nhu cầu chịu tải ngày một lớn từ các ứng dụng nặng hay game 3D trên smartphone. Có được thành công này là do hãng điện thoại Hàn Quốc đã tận dụng tốt việc tăng mật độ gigabyte trên một khuôn và áp dụng 4 con chip 8 gigabit (Gb) lên bảng mạch sẽ giúp Samsung chế tạo thành công RAM dung lượng 4G. Theo dự kiến, những smartphone hay tablet đầu tiên áp dụng RAM LPDDR4 của Samsung sẽ bắt đầu xuất hiện từ năm 2014.

Theo PLXH/PhoneArena